Когда китайский стартап превращается в глобального инноватора? История Xiaomi с её GaN-революцией отвечает на этот вопрос лучше любых слов. На днях стало известно: их исследование признано IEDM 2025 – Оскаром в мире полупроводников. Но что скрывается за этой научной победой?
Тупик 6G-энергопотребления
Переход на 6G – это не просто цифра. Скорости растут в 100 раз против 5G. Телефон при таких нагрузках стал бы греться как сковорода. Виной всему устаревшие GaAs-усилители.
Проблема в двух словах: существующий GaN работал лишь при 28-48В. Это уровень промышленного оборудования, но никак не карманных устройств. Физические ограничения материалов упёрлись в стену.
"Мы видели, как отрасль десятилетиями шла по кругу", – косвенно цитирует Лэй Цзюнь ITHome. И объясняет, почему вызов приняла именно его команда.
Как Xiaomi сломала правила
Инженеры пошли против тренда. Вместо повышения мощности они уменьшили напряжение. Ключевой ход – кремниевая подложка для GaN-структур.
Технические подробности из доклада:
- Рабочее напряжение снижено до 10В
- КПД преобразования энергии превышает 80%
- Плотность мощности выше предшественников на 30%
Но цифры – это одно. На практике значит: телефон с 6G не растает в руках при потоковой 8К-трансляции.
Почему это важно для вас?
Сейчас разработка выглядит академической победой. Но статья в IEDM доказывает: технологию можно масштабировать. А это:
По теме: Xiaomi HyperOS 3: как новое обновление улучшит работу смартфонов для профессионалов
1. Реальные смартфоны с 6G к 2027-2028 годам (на 2 года раньше прогнозов)
2. Аккумуляторы тоньше или ёмкость +15-20% при тех же размерах
3. Игры и AR без троттлинга – чип просто не будет перегреваться
Есть и подводные камни. Полупроводниковая промышленность не готова к GaN-буму. Китайские аналитики на Weibo прогнозируют: переход займёт до 2030 года.
По теме: Обновление Android 16 для смартфонов Xiaomi: новые функции и улучшения
Что такое HEMT и как он работает?
High Electron Mobility Transistor – сердце технологии. Его суть:
Традиционные транзисторы теряют энергию при переключении. HEMT от Xiaomi использует 2D-электронный газ на стыке GaN и подложки. Электроны там двигаются почти без столкновений.
Именно это даёт рекордный КПД. Для радиочастотных схем – как запрещённый допинг в спорте. Но здесь это чистая наука.
Гонка 6G только начинается, но Xiaomi уже вырвалась вперёд. Их GaN – не просто статья в журнале. Это фундамент будущих 6G-смартфонов, которые мы увидим через 3-4 года. Вопрос теперь в другом: успеет ли отрасль догнать тех, кто переписывает правила игры?
